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1N4448HLP
Document number: DS30590 Rev. 12 - 2
3 of 5
www.diodes.com
March 2012
? Diodes Incorporated
1N4448HLP
0
50
100
0 25 50 75 100 125 150
P
,
P
O
WE
R
DISSI
P
A
T
I
O
N (mW)
D
T , AMBIENT TEMPERATURE (°C)A
Fig. 1 Power Derating Curve
150
200
250
300
0
I , INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (mA)
F
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)F
Fig. 2 Typical Forward Characteristics
0.010102030405060708090100
0.1
1
10
100
1,000
10,000
100,000
I, I
N
S
T
A
N
T
A
N
E
O
U
S
R
EVE
R
SE
C
U
R
R
E
N
T
(nA)
R
V , INSTANTANEOUS REVERSE VOLTAGE (V)R
Fig. 3 Typical Reverse Characteristics
T = -55°CA
T = 0°CA
T = 25°CA
T = 50°CA
T = 85°CA
T = 100°CA
T = 125°CA
T = 150°CA
0.01012 3 45
0.1
1
10
100
1,000
10,000
100,000
V , INSTANTANEOUS REVERSE VOLTAGE (V)R
Fig. 4 Typical Reverse Characteristics - Low Bias
I , INS
T
AN
T
ANE
O
U
S
R
EVE
R
SE
C
U
R
R
EN
T
(nA)
R
T = -55°CA
T = 0°CA
T = 25°CA
T = 50°CA
T = 85°CA
T = 100°CA
T = 125°CA
T = 150°CA
0
0
1101000468210
I , FORWARD CURRENT (mA)F
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
Fig. 5 Typical Total Capacitance vs. Reverse Voltage
V , DC REVERSE VOLTAGE (V)R
C , TOTAL CAPACITANCE (pF)
T
f = 1MHz
Fig. 6 Typical Reverse Recovery Time vs. Forward Current
t,
R
EVE
R
SE
R
E
C
O
VE
R
Y
T
IME (nS)
rr
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
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